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科微资讯：瞻芯2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统
为了满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件的需要，瞻芯电子开发了2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。近期首批2款产品通过了严格的可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。
넶0 2024-11-05 -
2022年中国IGBT市场市场规模及应用领域分析
IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的「CPU」。
넶67 2022-04-25
