科微资讯：瞻芯2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统

为了满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件的需要，瞻芯电子开发了2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。近期首批2款产品通过了严格的可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。

关于产品

• IV2Q20045T4：2000V 45mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET，TO247-4

  驱动电压：15V~18V，具有开尔文源极引脚

• IV1D20020T2：2000V 20A 碳化硅(SiC)Schottky Diode，TO247-2

  工作结温高达175℃，且Vf具有正温度系数

   

关于应用

随着功率电力电子技术的快速发展，在新能源、光伏、储能、电网等领域的功率变换系统呈现两个趋势：一是追求更高工作频率，以压缩电感和电容尺寸，提升效率和功率密度；二是追求更高母线电压，以降低电流导通损耗，提升系统效率。

IV2Q20045T4 典型应用：

• 光伏逆变器
• UPS电源
• 电机驱动
• 开关电源

   

IV1D20020T2 典型应用：

• 光伏逆变器
• 逆变器续流二极管
• 开关电源
• 电机驱动

无锡科微半导体有限公司为瞻芯电子授权代理商，我司主要从事以IGBT为主的功率半导体芯片、模块、单管和电源模组的设计、研发、（代工）生产和销售工作。公司产品生产代工为国内一线功率半导体生产企业，核心团队在国际功率半导体领先企业工作多年，积累了丰富的专业经验和资源，深刻理解细分应用市场的生态体系、技术痛点、供应链挑战以及市场周期影响因素等，着力于市场需求分析及应用开发，能利用自身技术及资源优势为客户提供解决方案及高效专业的服务。